Una memoria Samsung con tecnologia a 40 nanometri

Ancora un altro primato mondiale da parte della Samsung Electronics: l’impiego della tecnologia a 40 nanometri per le memorie dei computer. È il settimo primato mondiale per le DRAM in un decennio


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a Samsung Electronics ha conquistato un altro primato mondiale. Il 4 febbraio 2009 il gigante tecnologico con sede a Seul ha comunicato di essere la prima azienda al mondo a sviluppare una memoria DDR2 ad accesso casuale dinamico (dynamic random access memory, DRAM) impiegando la tecnologia a 40 nanometri

Un nanometro, come si sa, è un miliardesimo di metro, e 40 nanometri sono l’equivalente di tre millesimi dello spessore di un capello.

Nel comunicato la Samsung, prima al mondo nella produzione di microcircuiti elettronici integrati (chip), ha detto che, con la tecnologia a 40 nanometri, si può potenziare la produzione fino al 60 per cento rispetto alla tecnologia a 50 nanometri.

Per i produttori di circuiti elettronici integrati, sviluppare memorie DRAM con una densità superiore significa poter tagliare i costi di produzione e guidare le tendenze del mercato fornendo gli ultimi integrati DRAM a prezzi superiori. Dal momento che i circuiti elettronici integrati vengono prodotti su un wafer, più i circuiti integrati sono piccoli, più chip vengono prodotti per wafer.

“Nel mercato mondiale dei chip”, ha detto un funzionario della Samsung, “la cosa più importante è la tempestività. Il successo dipende da quanto più rapidamente dei propri rivali si riesce a sviluppare un prodotto nuovo, perché nessuno vuol comprare delle memorie di bassa capacità, anche se i prezzi scendono al minimo.”

In questo senso, lo sviluppo della tecnologia a 40 nanometri da parte della Samsung è rimarchevole. Attualmente, la Samsung e la coreana Hynix, seconda al mondo, producono circuiti integrati con tecnologia a 50 nanometri.

La giapponese Elpida Memory comincerà a produrre circuiti integrati DRAM a 50 nanometri entro la prima metà del 2009 e la statunitense Micron Technology produce ancora chip a 60 nanometri.

Primati mondiali della
Samsung Electronics
nello sviluppo dei primi
prodotti DRAM al mondo
AnnoNanometri
2000150
2001100
200290
200480
200560
200650
200940

La situazione è peggiore per i produttori di chip di Taiwan, Powerchip e Pro-MOS, che non producono neppure circuiti integrati a 60 nanometri. La tedesca Qimonda è fallita il mese scorso a causa delle durissime condizioni dell’industria.

Questo dà alla Samsung una posizione preminente rispetto ai propri rivali e i funzionari della Samsung dicono che, per gli altri produttori di circuiti integrati, ci vorranno due anni per ricuperare.

Assieme al fatto di avere una maggiore produttività, è da notare che gli integrati DRAM a 40 nanometri consumano fino al 30 per cento in meno di elettricità rispetto agli integrati a 50 nanometri.

Comunque, per questa industria continuano i tempi duri e nessuno può prevedere quando il mercato mondiale degli integrati si riprenderà.

“È difficile prevedere quando il mercato risalirà.” dice Brian Park, un analista della Prudential Investment and Securities. “Quando la crisi finanziaria si allenterà, il mercato vedrà un aggiustamento.”

Samsung ha guidato gli standard del mercato dei circuiti integrati, essendo stata negli ultimi dieci anni per sette volte la prima al mondo nel presentare nuovi prodotti DRAM. La DRAM DDR2 a 40 nanometri viene presentata due anni e cinque mesi dopo che la Samsung ha sviluppato una DRAM a 50 nanometri nel settembre del 2006.

A differenza delle memorie flash, che ricordano le informazioni anche quando si interrompe l’alimentazione, le memorie DRAM memorizzano grandi quantità di informazioni, ma perdono i dati quando si interrompe l’alimentazione. Gli integrati DRAM vengono spesso usati dalle industrie di tecnologie per Internet che hanno bisogno di memorizzare grandi quantità di dati.


Tratto da “Another World-first for Samsung”, in Korea, Marzo 2009. Testo di Sung So-young. Pubblicato con autorizzazione del Korea Culture and Information Service, che si riserva il copyright sull'intero contenuto della rivista. Riferimento: Korea.net.

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